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肖特基二極管與普通二極管的區(qū)別 —— 以新邦微 SS520B 為例

2025-07-23 11:00:06  

肖特基二極管與普通二極管在結(jié)構(gòu)、性能和應(yīng)用場(chǎng)景上存在顯著差異,這些差異源于其核心原理的不同。以下結(jié)合新邦微 SS520B 肖特基二極管的特性,詳細(xì)說(shuō)明兩者的區(qū)別。

一、核心結(jié)構(gòu)與工作原理差異

· 普通二極管:由 P 型和 N 型半導(dǎo)體形成 PN 結(jié),導(dǎo)通時(shí)需要電子和空穴復(fù)合,存在固定的正向?qū)妷海ü韫芗s 0.7V,鍺管約 0.3V),且反向恢復(fù)時(shí)間較長(zhǎng)。

· 肖特基二極管:以金屬與半導(dǎo)體接觸形成的 “肖特基勢(shì)壘” 為核心,導(dǎo)通時(shí)僅需電子參與導(dǎo)電,無(wú)需載流子復(fù)合,因此具有更低的正向壓降極短的反向恢復(fù)時(shí)間。新邦微 SS520B 的正向電壓在 5A 電流下僅為 0.95V,遠(yuǎn)低于同規(guī)格普通硅二極管的 1V 以上,這一特性使其在高頻場(chǎng)景中效率更高。

二、關(guān)鍵性能參數(shù)對(duì)比

參數(shù)

普通二極管

肖特基二極管(如 SS520B)

正向?qū)妷?/span>

較高(硅管 0.7V,鍺管 0.3V)

低(SS520B 在 5A 時(shí)≤0.95V)

反向恢復(fù)時(shí)間

長(zhǎng)(幾十至幾百納秒)

極短(通常 < 10ns,高頻響應(yīng)快)

反向耐壓

較高(可達(dá)數(shù)千伏)

中等(SS520B 最大反向重復(fù)峰值電壓 200V)

反向漏電流

?。ǔ叵峦ǔ?< 1μA)

較大(SS520B 常溫下≤0.5μA,高溫下會(huì)增加)

正向浪涌電流能力

中等

強(qiáng)(SS520B 可達(dá) 120A/8.3ms)

三、應(yīng)用場(chǎng)景差異

· 普通二極管:適用于低頻整流(如工頻 50/60Hz 電源)、反向耐壓要求高的場(chǎng)景,或?qū)Ψ聪蚵╇娏髅舾械碾娐贰?/span>

· 肖特基二極管:因高頻特性和低功耗,廣泛用于高頻整流(如開(kāi)關(guān)電源)、續(xù)流二極管(如電機(jī)驅(qū)動(dòng))、低壓大電流電路(如充電寶、汽車(chē)電子)。以 SS520B 為例,其 200V 反向耐壓、5A 平均正向電流及 120A 浪涌能力,使其適用于車(chē)載充電器、LED 電源等需要高效整流的設(shè)備。

四、新邦微 SS520B 的肖特基特性?xún)?yōu)勢(shì)688050214d5cc.png

SS520B 作為典型的肖特基二極管,集中體現(xiàn)了該類(lèi)器件的核心優(yōu)勢(shì):

高效節(jié)能:低正向壓降減少導(dǎo)通損耗,比普通硅二極管節(jié)能約 15%-20%;

抗浪涌能力120A 的峰值浪涌電流(8.3ms)能承受瞬間大電流沖擊,適合電源啟動(dòng)或負(fù)載突變場(chǎng)景;

貼片設(shè)計(jì):采用 DO-214AA/SMB 封裝,支持表面貼裝和自動(dòng)化生產(chǎn),滿足小型化設(shè)備需求(如智能手機(jī)快充模塊)。

總結(jié)

肖特基二極管通過(guò)金屬 - 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了低功耗、高頻響應(yīng)的特性,而普通二極管則在高反向耐壓和低漏電流上更具優(yōu)勢(shì)。新邦微 SS520B 憑借 200V 耐壓、5A 電流及高效特性,成為低壓高頻整流場(chǎng)景的理想選擇,凸顯了肖特基二極管在現(xiàn)代電子設(shè)備中的不可替代性。

 


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